Hablamos de una tecnología que es casi un 30% más rápida que Quick Charge 2.0, y el doble de rápida que la generación anterior. Y para ello, Qualcomm ha introducido la tecnología INOV, que varía el voltaje de forma inteligente maximizando la eficiencia de carga. De esta forma, la eficiencia se ha mejorado un 38% con respecto a la generación anterior de Quick Charge. Pero, sin duda, lo más interesante es que es compatible con Snapdragon 820, 620, 618, 617 y 430, lo que quiere decir que podemos usarlo con procesadores que ya están en el mercado, aunque su compatibilidad se extenderá a terminales del año que viene.

Según han explicado en las especificaciones técnicas del nuevo sistema de carga, Quick Charge 3.0 soporta voltajes de entre 3,6 V y 20 V con variaciones de 200 mV. Precisamente por ello, la tecnología que nos ocupa es capaz de hacer varias el voltaje de forma inteligente gracias a un algoritmo que optimiza el ritmo de carga, siempre en función de la necesidad del terminal y reduciendo las pérdidas de rendimiento por estrés térmico.

Por otra parte, Qualcomm ha recordado que su nuevo sistema de carga rápida es compatible con los anteriores Quick Charge 2.0 y 1.0, además de los conetores mini USB, aunque está especialmente ideado para su uso con conectores USB Type-C que ya están comenzando a llegar a los dispositivos móviles. Y teniendo en cuenta que cada vez los terminales montan baterías de mayor tamaño, es una excelente tecnología para paradas breves, pero que nos dejarán tener un 85% de carga en pocos minutos.

No obstante, los usuarios siguen demandando mejoras en la autonomía, algo que como ya hemos visto puede venir, en un futuro no muy lejano, dado por una mayor densidad de las mismas. Mientras tanto, ¡a cargarlos rápido!

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Fuente: adslzone