UFS 3.0 se ofrecerá en opciones de 128, 256 y 512 GB de almacenamiento en un único módulo, y desde Micron han adelantado ya que los móviles con 1 TB de memoria interna verán la luz a partir del año 2021. Ya hay un teléfono inteligente que ofrece 1 TB de memoria interna, y es el Smartisan R1, pero este terminal no utiliza un único módulo sino dos de 512 GB. Este salto, previsto para el año 2021, está en poder ofrecer 1 TB de memoria en un único módulo. Y esto será posible gracias al avance de la tecnología 3D NAND, que permite aumentar la densidad de almacenamiento, con más capacidad en un componente que ocupa un espacio idéntico.
Con UFS 3.1 y LPDDR5 ¿cómo serán los teléfonos inteligentes de la próxima década? Ya tenemos algo de información
UFS 3.0 promete un aumento del doble en el ancho de banda; esta tecnología permite una velocidad de lectura y escritura destacablemente superior a UFS 2.1. Pero no solo se está trabajando en la evolución del hardware de almacenamiento interno para teléfonos inteligentes, sino que también está previsto el lanzamiento de LPDDR5 para el año 2020. Con esta mejora el la memoria RAM, que arrancará su producción en masa en 2020, conseguiremos pasar de 44 GB/s a 51,2 GB/s y reduciendo el consumo energético del hardware en nada menos que un 20%.
Teniendo en cuenta que el 5G abrirá las puertas a la velocidad Gigabit en aplicaciones reales, tanto el sistema de almacenamiento interno de los teléfonos inteligentes, como la memoria RAM, son componentes de hardware que tienen que evolucionar en los próximos años.
Fuente: androidcentral | adslzone
