Samsung ha anunciado en su blog oficial el inicio de la producción en masa de los primeros módulos de memoria DDR4 DRAM de 8GB. De esta forma, los ordenadores, tabletas, híbridos y servidores, podrán beneficiarse pronto de un mejor rendimiento gracias a esta nueva memoria. La compañía coreana, líder en su sector, afirma que este nuevo proceso mejora el producto final haciendo que sea más rápido y energéticamente más eficiente que la memoria construida utilizando el “viejo” proceso de 20 nanómetros.

A nivel de cifras, los nuevos chips de memoria ofrecen velocidades de hasta 3200 MHz, por encima de los 2400 MHz de los módulos actuales. Esto hace que la velocidad pueda dispararse hasta un 30% en comparación con el rendimiento que tenemos en estos momentos. Además, con la reducción de los chips y el proceso de fabricación de 10 nanómetros, el consumo eléctrico también disminuye y estas memorias son más eficientes en este sentido. Según explica Samsung, consumirán entre un 10% y un 20% menos que los módulos que podemos encontrar ahora mismo en el mercado dentro del segmento DDR4.

Este tipo de memoria llegó a los servidores en 2014 y poco a poco está comenzando a llegar todo tipo de dispositivos, tanto sobremesa, portátiles como móviles. Samsung fabricará módulos de memoria con su tecnología de 10 nanómetros con capacidades desde 4GB para ordenadores hasta 128GB para servidores empresariales. Por el momento, la firma no ha desvelado la fecha exacta en que llegarán al mercado pero deberían estar disponibles en los próximos meses.

Además, la firma coreana también introducirá módulos de memoria fabricados bajo los 10 nanómetros para móviles con el objetivo de afianzar “su liderazgo en el mercado de smartphones UHD”. Recordemos que la memoria LPDDR4 se utiliza en los móviles desde hace algún tiempo para ofrecer un rendimiento superior con mayor ancho de banda y menor consumo.

Fuente: Samsung | adslzone