Samsung ya tiene listos los chips eUFS de 512 GB para 2018
Samsung ha anunciado hoy que ha empezado ya la producción del primer chip eUFS (embedded Universal Flash Storage) de 512 GB del mercado. Este chip hace uso de la memoria V-NAND de 64 capas de Samsung, ofreciendo tanto una gran capacidad como una gran velocidad para móviles y tablets. El chip de 512 GB en concreto hace uso de ocho de estos chips.
Con este tipo de memorias se solventan posibles problemas que puedan aparecer con las tarjetas microSD, donde muchos usuarios suelen comprar las más baratas y en ocasiones éstas no pueden hacer frente con la velocidad de escritura que requiere, por ejemplo, un vídeo en 4K a 60 FPS.
La densidad de estas memorias es del doble de lo que encontrábamos en las anteriores V-NAND de 48 capas que alcanzaban hasta los 256 GB, y Samsung ha conseguido meter el doble de capacidad en el mismo espacio gracias a ello. En total, con 512 GB de capacidad se pueden almacenar hasta 22 horas de vídeo en 4K. Estas nuevas memorias son también más eficientes. Samsung ha introducido una serie de tecnologías propietarias que se aplican al diseño de los circuitos del chip y a la gestión de energía del controlador.
860 MB/s de lectura y 255 MB/s de escritura
En cuanto a la velocidad de lectura y escritura, encontramos que la lectura secuencial puede alcanzar 860 MB/s, mientras que la escritura alcanza los 255 MB/s. Los chips de Toshiba para el año que viene alcanzan 900 MB/s de lectura y sólo 180 MB/s de escritura. Gracias a esto, se puede transferir a un SSD (con interfaz PCI-e) un vídeo de 5 GB en tan sólo seis segundos, lo cual supone una velocidad 8 veces superior a una tarjeta microSD convencional.
En cuanto a la velocidad de lectura aleatoria, alcanza los 42.000 IOPS de lectura y 40.000 IOPS de escritura, lo cual es unas 400 veces superior a los 100 IOPS que se encuentra en una tarjeta microSD convencional. Esto es muy útil cuando se están copiando muchos archivos a la vez (por ejemplo, canciones o fotos) o cuando se están haciendo fotos en modo ráfaga.
Samsung ha aprovechado también para afirmar que está aumentando de manera agresiva la producción de estos chips, así como expandiendo la de 256 GB para hacer frente a la demanda a la que se enfrentará la industria en 2018, tanto para chips móviles como para SSD o tarjeta microSD. Esto nos deja ver que el año que viene probablemente veremos un Galaxy S9 con 512 GB de memoria, lo cual encajaría con algunos rumores que apuntan a que la capacidad base de los móviles de 2018 será de 128 GB.
